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SISS27DN-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。低热阻PowerPAK封装，尺寸小，厚度仅0.75mm。100%进行Rg和UIS测试。应用：笔记本电脑和移动计算。适配器开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISS27DN-T1-GE3
- 商品编号
- C506609
- 商品封装
- PowerPAK1212-8S
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.062克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 57W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 92nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 485pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 530pF |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 采用低热阻PowerPAK封装，尺寸小，高度仅0.75 mm
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 笔记本电脑和移动计算设备
- 适配器开关
- 负载开关
- DC/DC转换器
- 电源管理