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SIR870ADP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:100V 电流:60A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR870ADP-T1-GE3
- 商品编号
- C506607
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.136克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 6.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.866nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 100%进行Rq和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
-固定电信-DC/DC转换器-初级和次级侧开关
- SIS407DN-T1-GE3
- SISS27DN-T1-GE3
- SQ7415AEN-T1_GE3
- SS2FH10HM3/H
- SS3P6-M3/84A
- VBUS053AZ-HAF-GS08
- VBUS054B-HSF-GS08
- VS-3EGU06-M3/5BT
- VS-3EJH02HM3/6A
- VS-MBRS340-M3/9AT
- 293D157X9016E2TE3
- 593D106X9050E2TE3
- MSP3V3-M3/89A
- MSS1P2L-M3/89A
- 293D106X0025C2TE3
- 293D107X96R3C2TE3
- 293D156X9016C2TE3
- 293D156X9025D2TE3
- 293D157X9010D2TE3
- 293D157X9016D2TE3
- 293D226X9035D2TE3