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SIA400EDJ-T1-GE3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SIA400EDJ-T1-GE3

耐压:30V 电流:12A

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描述
特性:TrenchFET功率MOSFET。 新型热增强型PowerPAk SC-70封装。 小封装面积。 典型静电放电性能2500 V HBM。 100%汞和UIS测试。应用:负载开关。 过压保护开关
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIA400EDJ-T1-GE3
商品编号
C506602
商品封装
PowerPAK-SC-70-6L​
包装方式
编带
商品毛重
0.038克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))19mΩ@4.5V,11A
耗散功率(Pd)12.3W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.5V
栅极电荷量(Qg)11.6nC@10V
输入电容(Ciss)1.265nF@15V
反向传输电容(Crss)80pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • TrenchFET功率MOSFET
  • 新型热增强型PowerPAK SC-70封装
  • 小尺寸封装
  • 典型ESD性能2500 V HBM
  • 100%进行Rq和UIS测试

应用领域

  • 负载开关、过压保护开关
  • 升压转换器
  • DC/DC转换器

数据手册PDF