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SIA427DJ-T1-GE3
SIA427DJ-T1-GE3
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIA427DJ-T1-GE3
- 商品编号
- C506603
- 商品封装
- PowerPAK-SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 8V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 690pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 新型热增强型PowerPAK SC - 70封装
- 占位面积小
- 低导通电阻
- 100% Rq测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
-便携式和手持设备1.2V电源线的负载开关
- SIR870ADP-T1-GE3
- SIS407DN-T1-GE3
- SISS27DN-T1-GE3
- SQ7415AEN-T1_GE3
- SIC620CD-T1-GE3
- SIP32102DB-T1-GE1
- SS2FH10HM3/H
- SS3P6-M3/84A
- VBUS053AZ-HAF-GS08
- VBUS054B-HSF-GS08
- VS-3EGU06-M3/5BT
- VS-3EJH02HM3/6A
- VS-MBRS340-M3/9AT
- 293D157X9016E2TE3
- 593D106X9050E2TE3
- MSP3V3-M3/89A
- MSS1P2L-M3/89A
- 293D106X0025C2TE3
- 293D107X96R3C2TE3
- 293D156X9016C2TE3
- 293D156X9025D2TE3