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SI4288DY-T1-GE3
2个N沟道 耐压:40V 电流:7.4A
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- 描述
- 特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。 TrenchFET 功率 MOSFET。 100% RG 和 UHS 测试。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC。应用：CCFL 逆变器。 DC/DC 转换器
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4288DY-T1-GE3
- 商品编号
- C506588
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 580pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品特性
- 符合IEC 61249 - 2 - 21定义的无卤
- 沟槽式场效应晶体管功率MOSFET
- 经过100% Rg和UIS测试
- 符合2002/95/EC号RoHS指令
应用领域
- 冷阴极荧光灯管逆变器
- 直流/直流转换器
- 硬盘驱动器