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SI7478DP-T1-E3
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 特性：无卤，符合IEC 61249-2-21标准。 TrenchFET功率MOSFET。 新型低热阻PowerPAK封装，高度仅1.07mm。 100%进行Rg测试
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7478DP-T1-E3
- 商品编号
- C506598
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 5.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 160nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
适用于开关应用的MOSFET如今已具备约1mΩ的管芯电阻，并且能够承受85A的电流。PowerPAK是一种解决这些问题的新型封装技术。PowerPAK SO - 8与标准SO - 8采用相同的封装尺寸和引脚排列。这使得PowerPAK可以直接替代标准SO - 8封装。作为无引脚封装，PowerPAK SO - 8利用了整个SO - 8封装尺寸，释放了通常被引脚占据的空间，因此能够容纳比标准SO - 8更大的管芯。管芯附着焊盘底部外露，目的是为器件所安装的基板提供一条直接的低电阻热通路。最后，该封装高度低于标准SO - 8，使其成为对空间有约束的应用的理想选择。
商品特性
- 符合IEC 61249 - 2 - 21标准的无卤产品
- TrenchFET®功率MOSFET
- 新型低热阻PowerPAK®封装，高度仅1.07mm
- 100%进行Rg测试