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SI3585CDV-T1-GE3
耐压:20V 电流:2.1A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg测试。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI3585CDV-T1-GE3
- 商品编号
- C506596
- 商品封装
- TSOP-6-6-1.5mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 195mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 210pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
-便携式设备的负载开关-直流-直流转换器-驱动器:电机、螺线管、继电器