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SUD50P04-08-GE3
1个P沟道 耐压:40V 电流:50A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。应用：电源开关。 大电流应用中的负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SUD50P04-08-GE3
- 商品编号
- C506582
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.394克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 159nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.38nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 500pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 570pF |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 电源开关
- 大电流应用中的负载开关
- DC/DC转换器
- SI4101DY-T1-GE3
- SI4204DY-T1-GE3
- SI4288DY-T1-GE3
- SI3585CDV-T1-GE3
- SI7456DDP-T1-GE3
- SI7478DP-T1-E3
- SI7611DN-T1-GE3
- SIA400EDJ-T1-GE3
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