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SI4101DY-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:25.7A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。应用：适配器开关。 负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4101DY-T1-GE3
- 商品编号
- C506586
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.122克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V,25.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.19nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 715pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管（TrenchFET）功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 适配器开关、负载开关-电源管理-笔记本电脑和便携式电池组