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IRFR9310TRPBF实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IRFR9310TRPBF

1个P沟道 耐压:400V 电流:1.1A

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描述
第三代功率MOSFET采用先进的处理技术，以实现每硅面积的低导通电阻。结合功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于各种应用。DPAK设计用于使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装。直引脚版本（IRFU/SiHFU系列）用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5W。
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
IRFR9310TRPBF
商品编号
C506580
商品封装
DPAK(TO-252)​
包装方式
编带
商品毛重
0.447克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)400V
连续漏极电流(Id)1.1A
导通电阻(RDS(on))7Ω@10V,1.1A
耗散功率(Pd)50W
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)13nC@10V
输入电容(Ciss)270pF
反向传输电容(Crss)8pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)50pF

数据手册PDF

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