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CMD120N02
N沟道 耐压:20V 电流:120A
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- 描述
- MOS管，封装：TO-252，极性：N场，耐压：20V，电流：120A，10V内阻：0.0045Ω，4.5V内阻：0.0049Ω，功率：85W，COSS(TYP):2000PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD120N02
- 商品编号
- C49208267
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3715克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |