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CMF4N65A
N沟道 耐压:650V 电流:4A
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- 描述
- MOS管，封装：TO-220F，极性：N场，耐压：650V，电流：5A，10V内阻：3.3Ω，4.5V内阻：3.Ω，功率：35W，COSS(TYP):730PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMF4N65A
- 商品编号
- C49208277
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.356克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -25℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用先进技术制造，该技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
商品特性
- 4.0A、650V,VGS = 10V时,RDS(on) = 3Ω
- 经过100%雪崩测试
- 改善了dv/dt能力
应用领域
- 电源
- 功率因数校正(PFC)
- 镇流器