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CMH30R019SD
N场 300V 90A
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- 描述
- COOLMOS，封装：TO-247，极性：N场，耐压：300V，电流：90A，10V内阻：0.019Ω，功率：400W，COSS(TYP):4930PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMH30R019SD
- 商品编号
- C49208282
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.855556克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 400W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.93nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.7nF |
商品概述
30R019SD是一款采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET。由此产生的器件具备快速开关超结MOSFET的所有优点,同时还提供极快速且坚固耐用的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与高稳健性相结合,使谐振开关应用更加可靠、高效且轻便。
商品特性
- 超快体二极管
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 多层外延芯片技术
应用领域
-充电器-电源