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CMH65R035SD
N场 650V 80A
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- 描述
- COOLMOS，封装：TO-247，极性：N场，耐压：650V，电流：80A，10V内阻：0.035Ω，功率：700W，COSS(TYP):6150PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMH65R035SD
- 商品编号
- C49208284
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.897778克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 700W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 166nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 320pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.45nF |
商品概述
CMH65R035SD是一款采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET。由此产生的器件具备快速开关超结MOSFET的所有优势,同时提供极快速且耐用的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与高耐用性相结合,使谐振开关应用尤其更加可靠、高效且轻便。
商品特性
-低导通电阻-超快体二极管-极低的品质因数带来更高效率-符合RoHS标准
应用领域
-充电器-电源-太阳能/可再生能源/UPS微型逆变器系统