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CMP029N03A
N沟道 耐压:30V 电流:180A
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- 描述
- MOS管，封装：TO-220，极性：N场，耐压：30V，电流：180A，10V内阻：0.0028Ω，4.5V内阻：0.0036Ω，功率：180W，COSS(TYP):2300PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP029N03A
- 商品编号
- C49208288
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.6535克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 700pF |
商品概述
CMH65R046SD是一款采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET。由此产生的器件具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时还提供极快且耐用的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与高耐用性相结合，使谐振开关应用尤其更可靠、更高效且更轻便。
商品特性
~~- 低导通电阻-超快体二极管-极低的品质因数带来更高效率-符合RoHS标准
应用领域
- 充电器-电源-太阳能/可再生能源/UPS微型逆变器系统