CMSV60R180S6ZD
N沟道 耐压:600V 电流:20A
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- 描述
- COOLMOS,封装:DFN-8 8x8,极性:N场,耐压:600V,电流:20A,10V内阻:0.18Ω,功率:180W,COSS(TYP):1400PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSV60R180S6ZD
- 商品编号
- C49208406
- 商品封装
- DFN-8(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
