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CMSV60R180S6ZD
N沟道 耐压:600V 电流:20A
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- 描述
- COOLMOS，封装：DFN-8 8x8，极性：N场，耐压：600V，电流：20A，10V内阻：0.18Ω，功率：180W，COSS(TYP):1400PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSV60R180S6ZD
- 商品编号
- C49208406
- 商品封装
- DFN-8(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品概述
CMSV60R180S6ZD是一款功率MOSFET,采用Cmos先进的超结技术,可实现极低的导通电阻、栅极电荷,并减少振铃趋势。因此,其开关损耗极低,非常适合开关应用。此外,这些用户友好型器件通过集成齐纳二极管,具备更高的耐用性和出色的ESD能力,是设计师的理想之选。
商品特性
- 多层外延芯片技术
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 适配器
- PFC电源级
- DC-DC转换器