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CMU7N65A
N场 650V 7A
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- 描述
- MOS管，封装：TO-251，极性：N场，耐压：650V，电流：7A，10V内阻：1.3Ω，4.5V内阻：1.Ω，功率：100W，COSS(TYP):1100PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMU7N65A
- 商品编号
- C49208407
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.61克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用Cmos先进的平面条形DMOS技术制造。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改进的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 适配器
- 电源
- 大电流、高速开关
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