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CMSA90DP03
双P -30V -90A
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- 描述
- MOS管，封装：DFN-8 5x6，极性：双P，耐压：-30V，电流：-90A，10V内阻：0.0096Ω，4.5V内阻：0.013Ω，功率：80W，COSS(TYP):2200PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA90DP03
- 商品编号
- C49208403
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1335克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.2mΩ@4.5V；8.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 80W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 255pF |
商品概述
CMSA90DP03将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 小尺寸封装(5x6 mm),适用于紧凑设计
- 符合RoHS标准
应用领域
-DC-DC降压转换器中的高端开关-笔记本电脑电池电源管理-笔记本电脑中的负载开关