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CMN9P03M
P场 -30V -7A
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- 描述
- MOS管，封装：SOT-23，极性：P场，耐压：-30V，电流：-7A，10V内阻：0.028Ω，4.5V内阻：0.036Ω，功率：1.5W，COSS(TYP):810PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMN9P03M
- 商品编号
- C49208287
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC | |
| 输入电容(Ciss) | 810pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品概述
30R019SD是一款采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET。由此产生的器件具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时还提供极快速且坚固耐用的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与高稳健性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效且轻便。
商品特性
- 超快体二极管
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 多层外延芯片技术
应用领域
- 充电器-电源