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CMN6430M
N场 60V 4A
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- 描述
- MOS管，封装：SOT-23，极性：N场，耐压：60V，电流：4A，10V内阻：0.045Ω，4.5V内阻：0.051Ω，功率：1.2W，COSS(TYP):660PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMN6430M
- 商品编号
- C49208286
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 39mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品概述
CMN6430M采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON),适用于多种应用场景。
商品特性
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 45mΩ
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 51mΩ
- SOT - 23 - 3L封装
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关电路
- 低端负载开关