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CMH65R046SD
N场 650V 74A
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- 描述
- COOLMOS，封装：TO-247，极性：N场，耐压：650V，电流：74A，10V内阻：0.046Ω，功率：680W，COSS(TYP):6800PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMH65R046SD
- 商品编号
- C49208285
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.897222克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 74A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 680W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 168nC@35A | |
| 输入电容(Ciss) | 6.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 350pF |
商品概述
30N15采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。本产品专为计算、通信、消费和工业应用而设计并通过认证。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换器
- 开关模式电源