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CMF8N60A
N沟道 耐压:600V 电流:7.5A
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- 描述
- MOS管，封装：TO-220F，极性：N场，耐压：600V，电流：7A，10V内阻：1.15Ω，4.5V内阻：1.Ω，功率：40W，COSS(TYP):1300PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMF8N60A
- 商品编号
- C49208280
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.3355克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.02Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 92pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用先进技术制造,该技术专门针对降低导通电阻、提供卓越的开关性能以及承受雪崩和换向模式下的高能脉冲而设计。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
商品特性
- 原创性全新设计
- 100%雪崩测试
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
- 极低的固有电容
应用领域
- 充电器
- 适配器
- 电源
- 无极灯