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CMF8N60A
N沟道 耐压:600V 电流:7.5A
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- 描述
- MOS管，封装：TO-220F，极性：N场，耐压：600V，电流：7A，10V内阻：1.15Ω，4.5V内阻：1.Ω，功率：40W，COSS(TYP):1300PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMF8N60A
- 商品编号
- C49208280
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.3355克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.02Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 92pF |
商品概述
65R080SD是一款采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET。由此产生的器件具备快速开关超结MOSFET的所有优势，同时还提供极快速且耐用的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与高耐用性相结合，使该器件尤其适用于谐振开关应用，能提高可靠性、效率并减轻重量。
商品特性
- 超快体二极管
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 多层外延芯片技术
应用领域
- 充电器
- 电源