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CMD40P04
P沟道 耐压:40V 电流:40A
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- 描述
- MOS管，封装：TO-252，极性：P场，耐压：-40V，电流：-40A，10V内阻：0.018Ω，4.5V内阻：0.022Ω，功率：50W，COSS(TYP):6200PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD40P04
- 商品编号
- C49208271
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3795克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 410pF |
商品概述
40P04采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合大电流负载应用。
商品特性
- P沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换器
- 电源开关