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CMD80P06B
P沟道 耐压:60V 电流:80A
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- 描述
- MOS管，封装：TO-252，极性：P场，耐压：-60V，电流：-80A，10V内阻：0.016Ω，4.5V内阻：0.028Ω，功率：135W，COSS(TYP):5700PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD80P06B
- 商品编号
- C49208275
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3775克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V；21mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 135W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 5.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
商品概述
330N15采用先进的SGT技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 高频开关和同步整流