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CMD530N15
N沟道 耐压:150V 电流:40A
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- 描述
- MOS管，封装：TO-252，极性：N场，耐压：150V，电流：40A，10V内阻：0.053Ω，4.5V内阻：0.07Ω，功率：85W，COSS(TYP):1300PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD530N15
- 商品编号
- C49208272
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.378克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
40P04采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合大电流负载应用。
商品特性
- P沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换器
- 电源开关