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CMD80N02
N沟道 耐压:20V 电流:80A
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- 描述
- MOS管，封装：TO-252，极性：N场，耐压：20V，电流：80A，10V内阻：0.0068Ω，4.5V内阻：0.0073Ω，功率：55W，COSS(TYP):1300PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD80N02
- 商品编号
- C49208274
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.372克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |