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CMD3N120
N场 1200V 3A
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- 描述
- MOS管，封装：TO-252，极性：N场，耐压：1200V，电流：3A，10V内阻：6.4Ω，4.5V内阻：6.Ω，功率：100W，COSS(TYP):950PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD3N120
- 商品编号
- C49208270
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.376克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品概述
3N120采用先进的平面条形DMOS技术和设计,以提供出色的导通电阻RDS(ON)。这些器件非常适合用于高效开关模式电源。
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率开关应用-不间断电源-DC-DC 转换器