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CMD180P04
P沟道 耐压:40V 电流:100A
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- 描述
- MOS管，封装：TO-252，极性：P场，耐压：-40V，电流：-100A，10V内阻：0.005Ω，4.5V内阻：0.006Ω，功率：136W，COSS(TYP):11500PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD180P04
- 商品编号
- C49208268
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.381克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 200nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 515pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 750pF |
商品概述
- 分裂栅沟槽 MOSFET 技术
- 出色的散热封装
- 用于降低 RDS(ON) 的高密度单元设计
- 湿气敏感度等级 1
- 环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级
- 无卤
商品特性
- 100% 进行 EAS 测试
- 100% 进行 ∇VDS 测试
应用领域
- 功率开关应用-不间断电源-DC-DC 转换器