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DOD70N04T
N沟道 耐压:40V 电流:70A
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- 描述
- SGT工艺/N管/40V/70A/5mΩ/(典型值4.1mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOD70N04T
- 商品编号
- C48542674
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.442191克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.313nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 43pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- VDS = 40 V,ID = 70 A,在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 5 mΩ(典型值:4.1 mΩ)
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 100%保证EAS
- 提供绿色环保器件