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R3400B
N沟道MOSFET
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- 描述
- N管/30V/6A/20mΩ/(典型值15mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- R3400B
- 商品编号
- C48542691
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035299克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 820pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用。
商品特性
- VDS = 30 V,ID = 6 A,RDS(ON) < 20 m Ω(VGS = 10 V 时)(典型值:15 m Ω)
- 低栅极电荷。
- 提供环保型产品。
- 先进的高单元密度沟槽技术,实现超低 RDS(ON)。
- 出色的封装,散热性能良好。
- MSL3