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DOZ4822
双N沟道MOSFET
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- 描述
- N+N管/30V/10A/25mΩ/(典型值18mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOZ4822
- 商品编号
- C48542693
- 商品封装
- DFN3x3-8D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092934克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 15.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款双N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,在实现低栅极电荷的同时,提供出色的RDS(ON)性能。它可广泛应用于各种领域。
商品特性
- VDS = 30 V,ID = 10 A,VGS = 10 V 时,RDS(ON) < 25 m Ω(典型值:18 m Ω)
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低RDS(ON)
- 采用散热性能良好的封装
- 湿度敏感度等级3(MSL3)