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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DOZ90N04T

N沟道 耐压:40V 电流:90A

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描述
SGT工艺/N管/40V/90A/2.8mΩ/(典型值2.2mΩ)
商品型号
DOZ90N04T
商品编号
C48542695
商品封装
DFN3x3-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.100818克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)90A
导通电阻(RDS(on))2.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)57W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)36nC@10V
输入电容(Ciss)1.98nF
反向传输电容(Crss)46pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.073nF

商品概述

这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻(RDS(on))。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • VDS = 40 V,ID = 90 A,在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 2.8 mΩ(典型值:2.2 mΩ)
  • 低栅极电荷
  • 提供环保型器件
  • 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))
  • 采用优秀封装,散热性能良好
  • 湿敏等级3级(MSL3)

应用领域

  • 接口开关
  • 负载开关
  • 便携式设备和电池直流-直流(DC/DC)转换器

数据手册PDF