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DOZ95N03T

采用先进SGT技术的N沟道MOSFET

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描述
SGT工艺/N管/30V/95A/2.5mΩ/(典型值1.75mΩ)
商品型号
DOZ95N03T
商品编号
C48542694
商品封装
DFN3x3-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.10024克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)95A
导通电阻(RDS(on))2.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)59.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.2V
栅极电荷量(Qg)36nC@10V
输入电容(Ciss)1.98nF
反向传输电容(Crss)86pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(on),适用于广泛的应用场景。

商品特性

  • 漏源电压VDS = 30 V,漏极电流ID = 95 A,当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 2.5 mΩ(典型值:1.75 mΩ)
  • 栅极电荷低
  • 提供环保型器件
  • 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻RDS(ON)
  • 封装散热性能良好
  • 湿度敏感度等级为3级(MSL3)

应用领域

  • DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流
  • 电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器

数据手册PDF