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DOZ30DN02
2个N沟道 耐压:20V 电流:30A
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- 描述
- N+N管/20V/30A/10mΩ/(典型值9.7mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOZ30DN02
- 商品编号
- C48542692
- 商品封装
- DFN3x3-8D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.094132克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 17W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款双N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻(RDS(on))。它可应用于多种领域。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 20 V,漏极电流(ID) = 30 A,当栅源电压(VGS) = 4.5 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 10 mΩ(典型值:9.7 mΩ)
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现极低的导通电阻(RDS(ON))
- 封装散热性能良好
- 湿度敏感度等级(MSL)为3级
应用领域
- 反接电池保护-负载开关-电源管理-电机控制