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R3407B
P沟道MOSFET
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- 描述
- P管/-30V/-4.5A/40mΩ/(典型值32mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- R3407B
- 商品编号
- C48542690
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.040348克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 575pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 72pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款 P 沟道 MOSFET 采用先进的沟槽技术和设计,可提供低栅极电荷下的优异导通电阻 RDS(on),适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压 VDS = -30 V,漏极电流 ID = -4.5 A,当栅源电压 VGS = -10 V 时,导通电阻 RDS(ON) < 40 mΩ(典型值:32 mΩ)
- 低栅极电荷
- 有环保型产品可供选择
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻 RDS(ON)
- 封装散热性能良好