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DON110N12T
N沟道 耐压:120V 电流:110A
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- 描述
- SGT工艺/N管/120V/110A/6mΩ/(典型值5mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DON110N12T
- 商品编号
- C48542685
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173014克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 142W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 716.3pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 120 V,漏极电流ID = 110 A,当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 6 mΩ(典型值:5 mΩ)
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 封装散热性能良好
应用领域
- 适配器
- 充电器
- 电源管理
- 开关电源待机电源