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DON30N20T
采用先进SGT技术的N沟道MOSFET
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- 描述
- SGT工艺/N管/200V/30A/50mΩ/(典型值45mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DON30N20T
- 商品编号
- C48542686
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.169321克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 153W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.39nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 84pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)性能。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 200 V,ID = 30 A,RDS(ON) < 50 m Ω(VGS = 10 V 时,典型值为 45 m Ω)
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低 RDS(ON)
- 采用散热性能良好的出色封装
- MSL3