温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DON30N10T
采用先进SGT技术的N沟道MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- SG工艺T/N管/100V/30A/20mΩ/(典型值16mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DON30N10T
- 商品编号
- C48542683
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.169721克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 71W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计,可提供出色的导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷,适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 100 V,漏极电流(ID) = 30 A, 当栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 20 mΩ(典型值:16 mΩ)
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))
- 封装散热性能良好
应用领域
- 电池开关-DC/DC转换器