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DOD15N10T
采用先进SGT技术的N沟道MOSFET
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- 描述
- SGT工艺/N管/100V/15A/70mΩ/(典型值55mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOD15N10T
- 商品编号
- C48542675
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.438725克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 310pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 16.7pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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