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DON150N03T
采用先进SGT技术的N沟道MOSFET
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- 描述
- SGT工艺/N管/30V/150A/2.2mΩ/(典型值1.75mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DON150N03T
- 商品编号
- C48542680
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.166567克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.98nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 86pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻(RDS(on))。它可用于各种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 30 V,漏极电流(ID) = 150 A,当栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 2.2 mΩ(典型值:1.75 mΩ)
- 低栅极电荷。
- 有环保型器件可供选择。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))。
- 封装散热性能良好。
- 湿度敏感度等级(MSL)为3级
应用领域
- 适配器
- 充电器
- 电源管理
- 开关电源待机电源