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HSL6115
P沟道60V快速开关MOSFET
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- 描述
- 是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证单脉冲雪崩能量（EAS），具备完整功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSL6115
- 商品编号
- C45385110
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.213215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.635nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 141pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
HSBA6074B是高单元密度SGT N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSBA6074B符合RoHS和绿色产品要求，100%通过EAS测试，且经过全面功能可靠性认证。