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HSBA1641
N沟道和P沟道快速开关MOSFET
- 描述
- 高性能互补N沟道和P沟道MOSFET，具有高单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩能量，经过全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA1641
- 商品编号
- C45385128
- 商品封装
- PRPAK5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V；40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A；30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V,6A；11mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 32W；32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA；1.7V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.5nC@4.5V；10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.013nF@15V；1.415nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF@15V；102pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
170P03A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换器-开关应用