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HSBA3496
30V 双路非对称 N 沟道 MOSFET
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA3496
- 商品编号
- C45385130
- 商品封装
- PRPAK5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V；30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A；50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@10V,12A；4.5mΩ@10V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 22W；22W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@250uA；1.7V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V；15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.433nF@15V；1.115nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF@15V；78pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
HSBA3331是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSBA3331符合RoHS和绿色产品要求，100%经过抗雪崩能力（EAS）测试，具备全面的功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100%抗雪崩能力（EAS）保证
- 提供绿色环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术