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HSP40P15
P沟道150V快速开关MOSFET
- 描述
- 使用先进的沟槽MOSFET技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷，适用于各种其他应用。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩能量耐量（EAS），并通过全功能可靠性认证。100% EAS保证；提供绿色环保器件；超低栅极电荷；出色的CdV/dt效应抑制；先进的高单元密度沟槽技术
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSP40P15
- 商品编号
- C45385136
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.65V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.6nF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | 116pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HSBA1522是高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSBA1522符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过EAS测试，并通过全面功能可靠性认证。 超低栅极电荷
- 提供环保型器件 出色的Cdv/dt效应抑制 先进的高单元密度沟槽技术
商品特性
- 超低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 出色的Cdv/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术