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HSH18N20A

N沟道200V快速开关MOSFET

描述: 是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩耐量（EAS），具备完整的功能可靠性认证。超低栅极电荷。有绿色器件可供选择。出色的Cdv/dt效应衰减。先进的高单元密度沟槽技术
品牌名称: HUASHUO(华朔)
商品型号: HSH18N20A
商品编号: C45385137
商品封装: TO-263
包装方式: 编带
商品毛重: 1.845克(g)

商品参数

商品概述

HSH18N20A是高性能沟槽型N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。HSH18N20A符合RoHS标准和绿色产品要求,100%保证具有抗雪崩能力(EAS),并通过了全功能可靠性认证。具备超低栅极电荷、出色的Cdv/dt效应抑制能力以及先进的高单元密度沟槽技术。

商品特性

超低栅极电荷
提供绿色环保器件
出色的Cdv/dt效应抑制能力
先进的高单元密度沟槽技术

应用领域

电机控制-LED控制器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	200V
	连续漏极电流(Id)	18A
	导通电阻(RDS(on))	120mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	85W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	3.5V
	栅极电荷量(Qg)	14nC@10V
	输入电容(Ciss)	887pF
	反向传输电容(Crss)	5.3pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道