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HSU30P15
P沟道150V快速开关MOSFET
- 描述
- 使用先进的沟槽MOSFET技术，提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷，适用于各种其他应用。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩耐量，具备完整功能可靠性认证。100%保证雪崩耐量。提供绿色环保器件。超低栅极电荷。出色的CdV/dt效应抑制。先进的高单元密度沟槽技术
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSU30P15
- 商品编号
- C45385133
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 57W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.65V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.6nF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | 116pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 155pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
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