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HSBA3430
30V 双路非对称 N 沟道 MOSFET
- 描述
- 先进沟槽MOS技术。低栅极电荷。低RDS(ON)。100% EAS保证。有绿色环保器件
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA3430
- 商品编号
- C45385129
- 商品封装
- PRPAK5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V；30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 78A；190A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.8mΩ@10V；2.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 32W；62W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V；2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V；82nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.833nF；1.515nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF；288pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |