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HSM4953
双P沟道30V快速开关MOSFET
- 描述
- 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的 RDSON 和栅极电荷。符合 RoHS 和绿色产品要求，100% EAS 保证，具备完整功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSM4953
- 商品编号
- C45385112
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 63pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 135A，当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 2.5mΩ，典型值为2.2mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻RDS(ON)
- 采用散热性能良好的出色封装