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HSBB3254
双N沟道30V快速开关MOSFET
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- 描述
- 100% EAS 保证。有绿色环保器件。超低栅极电荷。出色的 CdV/dt 效应抑制。先进的高单元密度沟槽技术
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBB3254
- 商品编号
- C45385115
- 商品封装
- PRPAK3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.113nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
- 保证100%通过EAS测试
- 有绿色环保器件可供选择
- 极低的栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
商品特性
~~- 提供绿色环保器件-超低栅极电荷-出色的dv/dt效应抑制能力-先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
-台式计算机电源管理或DC/DC转换器-电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器