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HSBA3331
双P沟道30V快速开关MOSFET
- 描述
- 高单元密度沟槽P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩能量耐量（EAS），具备完整功能可靠性认证。超低栅极电荷，100%保证雪崩能量耐量，有绿色环保器件可供选择，出色的CdV/dt效应抑制，采用先进的高单元密度沟槽技术。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA3331
- 商品编号
- C45385127
- 商品封装
- PRPAK5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.45nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
经过100%单脉冲雪崩耐量测试 先进沟槽技术
- 低栅极电荷 高电流能力 符合RoHS和无卤标准
商品特性
- 经过100%单脉冲雪崩耐量测试
- 先进沟槽技术
- 低栅极电荷
- 高电流能力
- 符合RoHS和无卤标准
应用领域
- 开关电源同步整流-DC/DC转换器-或门二极管应用